Концентрация атомов в чистом, без примесей, кристалле кремния nSi = 4,9·1028 м–3. При комнатной температуре концентрация электронно-дырочных пар в кристалле n = 1,1·1016 м–3. Какова должна быть относительная концентрация nAl / nSi примесных атомов алюминия в кристалле кремния, чтобы проводимость возросла в α = 1000 раз по сравнению с проводимостью чистого кремния? Предполагается, что каждый примесный атом алюминия порождает одну дырку. Можно считать, что проводимость пропорциональна концентрации носителей заряда в кристалле.